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MLED(Mini LED 和 Micro LED)行業(yè)概況

2023-12-29
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Mini LED(Mini Light-Emitting Diode,次毫米發(fā)光二極管)的芯片尺寸介于50~200 微米,LED 點間距在 0.1~1mm 之間,既可以直接用于 RGB 顯示,也可以用于 LCD 的背光模組。Mini LED 采用直下式背光方式,可以看作普通 LCD屏幕的升級版,其將傳統(tǒng) LED 背光燈珠縮小,從而實現(xiàn)更為精細、密集的背光分區(qū),配合 Local Dimming 的控制,提高亮度以及對比度,提升視覺感觀。在相同條件下,Mini LED 不僅解決了 OLED 容易燒屏的問題,而且其成本低于 OLED,在提升畫面的同時,又具備成本優(yōu)勢。當(dāng)前 Mini LED 已進入爆發(fā)期,蘋果、三星等多家品牌廠商都已開始推出相關(guān)產(chǎn)品。

在生產(chǎn)設(shè)備方面,Mini LED 可使用大部分傳統(tǒng) LED 生產(chǎn)設(shè)備進行生產(chǎn)。Mini LED 在生產(chǎn)流程上與 Micro LED 類似,但通常不涉及巨量轉(zhuǎn)移。Micro LED(Micro Light-Emitting Diode,微米發(fā)光二極管)的芯片尺寸小于50 微米,LED 點間距在 0.1mm 以下,是在一個芯片上高密度集成的微小尺寸 LED陣列。該技術(shù)將傳統(tǒng)的 LED 陣列微小化,每一個像素點均可以被獨立定位、單獨驅(qū)動發(fā)光。Micro LED 可提供極高的色飽和度,通常大于 120%NTSC,與目前OLED 所能提供的色域幾乎一致,同時由于 LED 具備無機物穩(wěn)定性,Micro LED可在較長使用時間下保持色彩的一致性與穩(wěn)定性。此外,Micro LED 在光電轉(zhuǎn)換效率、亮度、使用壽命等方面均優(yōu)于 Mini LED、Micro OLED,且正在逐漸攻克前期的磊晶技術(shù)瓶頸、巨量轉(zhuǎn)移良率、封裝測試問題,不斷完善后續(xù)的檢測、維修等環(huán)節(jié)。基于此,國內(nèi)外廠商已陸續(xù)發(fā)布 Micro LED 智能眼鏡或相關(guān)概念產(chǎn)品。

Mini LED的顆粒尺寸在50~200μm之間,Micro LED的顆粒尺寸小于50μm,這要求檢測設(shè)備的視覺更加精細,AOI 鏡頭需要達到微米級的分辨率才能夠拍清楚每顆 LED 芯片的細節(jié)。同時,單塊 Mini LED 板上的 LED 芯片數(shù)量往往是萬級甚至十萬級,在 Micro LED 板上更是達到百萬級甚至千萬級,這不僅要求檢測設(shè)備在硬件上配置更高像素的相機以保證視野面積,確保檢測速度與產(chǎn)線速度相匹配,并且也對檢測設(shè)備的算法及軟件提出了高要求。此外,點亮測試也是AOI 檢測不可或缺的環(huán)節(jié)??偟膩碚f,Mini/Micro LED 擁有更小的芯片尺寸,要求檢測設(shè)備具備更高的分辨率、偏移檢測能力以及重復(fù)精度;更薄的厚度,要求檢測設(shè)備具備更高的還原精度;龐大的芯片數(shù)量,要求檢測設(shè)備具備更好的軟硬件能力。

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